تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند. ناحیه p انتهایی آند، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است.
فهرست مطالب :
۱-۱-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )
(الف) مدلهای دیودی تیریستور
(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور
۱-۲-مشخصات تیریستور
۱-۲-۱-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)
۱-۳-۲-تیریستور بایاس مستقیم و مسدود (آند نسبت به کاتد مثبت)
۱-۲-۳-تیریستور بایاس مستقیم و هدایت
(الف) روشن کردن توسط نور
(ب) روشن کردن توسط علائم الکتریکی اعمال شده به دریچه
(پ) روشن کردن با ولتاژ شکست
(ت) روشن کردن
۱-۲-۴-خاموش شدن تیریستور
الف) جابجایی طبیعی
ب)خاموش یا بایاس معکوس
(الف) خود جابه جایی توسط مدار تشدید
(ب) خاموش کردن تیریستور توسط مدار تشدید کمکی
(پ)خاموش کردن تیریستور توسط خازن موازی
(ت)خاموش کردن تیریستور توسط خازن سری
(پ) خاموشی دریچه
۱-۲-۵-زمان خاموشی تیریستور
۱-۲-۶-مدارهای محافظ گیت
۱-۲-۷-حفاظت در برابر
۱-۲-۸-حفاظت در برابر
۱-۳-مشخصات تیریستور BT151
2-1-بلوک دیاگرام کلی مدار
۲-۲-تفاوتهای مدار عملی با مدار شبیه سازی شده
۲-۳-تحلیل و شبیه سازی مدار توسط شبیه ساز Circuitmaker
2-3-1-طبقه ترانس کاهنده
۲-۳-۲-طبقه آشکارساز عبور از صفر
۲-۳-۳-طبقه تولید RAMP
2-3-4-طبقه Zero-span
2-3-5-طبقه مقایسه گر ( ) و مشتق گیر
۲-۳-۶-طبقه تقویب جریان و ایزولاسیون
۲-۴-مدار عملی ساخته شده همراه با نرم افزار
۲-۴-۱-طبقه D/A
2-4-2-نرم افزار میکرو
• 50 صفحه و در قالب فایل Word