جنبه های مختلف سیستم های نانو، نقش مهمی را در فناوری و دانش نانو ایفا می کند. در ساختارهای نانویی با فرمت ماکروسکوپی OD (OD - نانو کریستال)، D 1 فرمت ماکروسکوپی (ID - نانو سیم ها)، و یا پسوند های ماکروسکوپی (2بعدی 2بعدی - لایه های نانو)، خواص جدید در مقایسه با سیستم های توده ای ماکروسکوپی به خاطر conlincment کوانتومی، شارژ کوانتوم، طول تبادل مغناطیسی، و غیره به وجود می آیند. در مورد سیستم های نیمه رسانا، نانو ساختارهایی با ابعاد مختلف هستند که اغلب به نام نقاط کوانتومی، سیم های کوانتومی، و دیواره های کوانتومی خوانده می شوند. اثرات ابعاد نانو ساختارها با برخی از ویژگی های نمونه درفصل (1) معرفی شده اند و مرتبط با سنتز نشان داده شده اند. درفصل حاضر، برخی ویژگی های عمومی نانو کریستال ها، نانو سیم ها و لایه های نانو مورد بحث قرار گرفته اند.این اثرات بعدا در سیستم های کربنی درفصل 5 و در بحث نانو مغناطیس درفصل 8 از سر گرفته شده اند.
4.1 کریستال های نانو
نقاط نانو در هر سه مسیر فضایی نشان داده می شوند و ابعاد نسبت به طول موج DC Broglic در حامل های بار کوچکتر هستند. نقاط نانو نیمه رسانا اغلب در یکی دیگر از ماتریس های نیمه رسانا دی الکتریک تعبیه شده است. نقاط کوانتومی ممکن است ترکیباتی نوآورانه را برای پردازش اطلاعات کوانتومی، رمزنگاری کوانتومی، یا ذخیره سازی داده های ترکیبی فلش DRAM / را ارائه کند. در تعداد زیا د(میلیارد), آنها ممکن است ترکیبات الکترونیک نوری، لیزر و یا آمپلی فایر، و سیستم های جدید فن آوری ارتباطاتی را برای لوازم الکترونیکی مصرفی، و یا با دقت بالا اندازه گیری دقیق را تشکیل دهد.
4.1.1 سنتز نانو کریستال
برخی ویژگی های خاص تر از سنتز نانو کریستال درفصل. 3مورد بحث قرار خواهد گرفت. دانه های فلزی به عنوان کاتالیزور برای ترکیبات نیمه رسانا در حال رشد و یا نانوسیمهای اکسید سیتر در فاز گازی, با استفاده از مکانیزم بخار مایع جامد، و یا از طریق محلول مایع جامد در محلول مورد استفاده قرار گرفته اند. هنگامی که از مکعب های نانو به عنوان دانه برای رشد PT-PD مکعب های دو هسته پوسته فلزی نانو استفاده می شود، می توان نشان داد که نسبت های رشد در امتداد مسیرهای کریستال خاص می تواند با کنترل غلظت NO2 در اتمسفر متفاوت باشد. با افزایش غلظتهای NO2. , اکتاهدرای یا cuboctahcdra می تواند رشد کند. علاوه بر این، عدم تطابق مکعب در این نوع از رشد epitaxial بسیار مهم است